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文章详情介绍:
- 〖One〗、发光二极管基础知识和应用案例详解
- 〖Two〗、红外发光二极管的参数应用
- 〖Three〗、红外发光二极管,红外灯的选型从此简单了?赶紧收藏了!
- 〖Four〗、GaAs红外发光二极管发光功率为什么是负的温度系数?从工艺上是否能调整...
- 〖Five〗、红外发光二极管参数与应用
发光二极管基础知识和应用案例详解
发光二极管(LED)基础知识与应用案例详解发光二极管是什么?发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种半导体器件,能够将电能直接转化为光能。其核心结构为半导体芯片,通电后电子与空穴复合释放能量,产生光辐射。
混合准直透镜的设计原理 LED在整个半球上发光,但大多数照明应用要求对输出的光的方向进行控制。一个简单的正透镜不足以将大角度光折射成准直光束。为了重新定向所有发射光,可以设计一个混合折射/反射透镜。混合准直透镜的设计结合了折射和反射两种光学原理。
LED隧道灯的基本概念 LED隧道灯,顾名思义,是采用LED(Light Emitting Diode,发光二极管)作为光源的隧道照明设备。LED具有高光效、低能耗、长寿命等一系列优势,使得LED隧道灯在照明效果、能源消耗以及使用寿命等方面都优于传统照明设备。
VCSEL的介绍及应用案例(二)VCSEL(垂直腔面发射激光器)芯片封装后形成VCSEL激光二极管,相较于其他发光二极管,具有效率高、功耗低、晶片尺寸小易于准直、操作简单等优势。其应用领域广泛,涵盖3D传感器、智能驾驶、视频监控、激光雷达、机器视觉、姿势识别、激光医疗和军事运用等多个方面。

红外发光二极管的参数应用
红外线发光二极管的波长通常应用于850nm、870nm、880nm、840nm、980nm等。在功率与波长的关系上,850nm波长的红外发射管功率较高,且随着波长增加,功率逐渐减小。峰值波长是分光仪测量能量分布时的能量最大值对应的波长。
通常应用红外发射管波长:850nm、870Nnm、880nm、940nm、980nm功率与红外发射管波长的关系:850nm880nm940nm峰值波长:发光体或物体在分光仪上所测量的能量分布,其峰值位置所对应的波长λp。辐射强度(POWER):单位mW∕sr,表示红外管(IRLED)辐射红外能量的大小。
核心参数与选型依据工作电压红外线发光二极管的工作电压通常为 2V-8V(直流驱动),具体数值需借鉴规格书。实际使用中需匹配驱动电路输出电压,避免过压损坏。功率与封装类型 5mm直插式:常见于传统监控设备,成本低但散热效率一般,适合低功率场景。
红外发射管的参数主要包括峰值波长(λp),常见的值有850nm、870nm、880nm、940nm和980nm。其中,850nm的红外发射管发射功率较大,照射距离较远,因此常用于红外监控器材。而940nm的红外发射管则多用于家电类的红外遥控器。从费用角度来看,850nm的红外发射管费用较高,其次是880nm和940nm。
常用的红外发光二极管其外形和发光二极管LED相似,发出红外光。管压降约4v,工作电流一般小于20mA。为了适应不同的工作电压,回路中常常串有限流电阻。一些彩电红外遥控器,其红外发光管的工作脉冲占空比约为1/3-1/4;一些电器产品红外遥控器,其占空比是1/10。
红外发光二极管通常使用砷化镓(GaAs)、砷铝化镓(GaAlAs)等材料,采用全透明或浅蓝色、黑色的树脂封装。发射距离、发射角度(15度、30度、45度、60度、90度、120度、180度)、发射的光强度、波长。
红外发光二极管,红外灯的选型从此简单了?赶紧收藏了!
〖One〗、核心参数与选型依据工作电压红外线发光二极管的工作电压通常为 2V-8V(直流驱动),具体数值需借鉴规格书。实际使用中需匹配驱动电路输出电压,避免过压损坏。功率与封装类型 5mm直插式:常见于传统监控设备,成本低但散热效率一般,适合低功率场景。
GaAs红外发光二极管发光功率为什么是负的温度系数?从工艺上是否能调整...
〖One〗、高亮度单色发光二极管和超高亮度单色发光二极管 高亮度单色发光二极管和超高亮度单色发光二极管使用的半导体材料与普通单色发光二极管不同,所以发光的强度也不同。
〖Two〗、它是可以将电能直接转换成近红外光(不可见光)并能辐射出去的发光器件,主要应用于各种光电开关及遥控发射电路中。LED发射管的结构、原理与普通发光二极管相近,只是使用的半导体材料不同。
〖Three〗、大功率LED不可归类到贴片系列,它们功率及电流使用皆不相同,且光电参数相差甚巨。单颗大功率LED光源如未加散热底座,大功率的有1W、3W、5W、10w…100w。
红外发光二极管参数与应用
〖One〗、红外线发光二极管的波长通常应用于850nm、870nm、880nm、840nm、980nm等。在功率与波长的关系上,850nm波长的红外发射管功率较高,且随着波长增加,功率逐渐减小。峰值波长是分光仪测量能量分布时的能量最大值对应的波长。
〖Two〗、核心参数与选型依据工作电压红外线发光二极管的工作电压通常为 2V-8V(直流驱动),具体数值需借鉴规格书。实际使用中需匹配驱动电路输出电压,避免过压损坏。功率与封装类型 5mm直插式:常见于传统监控设备,成本低但散热效率一般,适合低功率场景。
〖Three〗、通常应用红外发射管波长:850nm、870Nnm、880nm、940nm、980nm功率与红外发射管波长的关系:850nm880nm940nm峰值波长:发光体或物体在分光仪上所测量的能量分布,其峰值位置所对应的波长λp。辐射强度(POWER):单位mW∕sr,表示红外管(IRLED)辐射红外能量的大小。
〖Four〗、红外二极管:工作频率相对较低,通常用于低频应用。这是因为红外线信号的传输速度相对较慢,且不需要太高的频率来实现遥控等功能。发光二极管:工作频率较高,适用于高频应用。LED的快速响应特性使其成为高速数据传输和显示技术的理想选取。发光方式不同:红外二极管:通过辐射红外线来发光。
〖Five〗、大功率红外发光二极管:通常用于需要高功率输出的场合,如照明、安防监控等。常见的功率等级有1瓦、3瓦等。关于2835 810nm红外灯 确实存在2835规格的810nm红外发光二极管。这种灯珠结合了贴片式封装的便利性和810nm波长的特定应用需求,如人脸识别等。2835规格的灯珠尺寸适中,便于在电路板上布局和安装。
〖Six〗、辐射强度(Power)是衡量红外线发光二极管(IR)辐射红外线能量大小的重要参数,其单位通常为瓦特(W)、瓦特/立体角(W/sr)和瓦特/平方厘米(W/cm2)。辐射强度与输入电流成正比关系,即输入电流越大,辐射强度越大。发射距离与辐射强度(Power)成正比,辐射强度越大,红外发射管的照射距离越远。
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