陶瓷LED灯珠厂家（陶瓷led灯珠厂家直销）

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文章详情介绍：

• 〖One〗、LED封装行业里2835灯珠怎么火起来的?
• 〖Two〗、3535灯珠规格参数,3535led灯珠型号与功率有哪些?
• 〖Three〗、led灯珠封装工艺
• 〖Four〗、氮化铝陶瓷基板分类

LED封装行业里2835灯珠怎么火起来的?

灯珠在LED封装行业迅速走红，主要源于成本优化需求、性能优势、市场适配性及行业生态推动，具体分析如下：成本优化需求驱动行业转型LED封装行业长期面临费用战压力，一线企业需在降低成本的同时维持品牌形象，二三线企业则通过降价争夺市场份额。

此外，2835型号的LED灯珠还具备良好的散热性能，这有助于延长LED灯珠的使用寿命，并减少因过热而导致的故障率。因此，许多灯具制造商和设计师都倾向于选取2835型号的LED灯珠，以提高产品的性能和可靠性。总之，2835型号的LED灯珠以其出色的性能和广泛的应用范围，在LED照明领域中占据着重要的地位。

在实际应用中，2835灯带因其优良的散热性能和高效能，被广泛应用于室内和室外的照明项目。无论是商业建筑、家居装饰还是户外景观照明，2835灯带都能提供出色的整体照明效果。其出色的散热能力和高光输出能力，使其成为追求高效照明解决方案的理想选取。

与3528和5050灯珠相比，2835灯珠在尺寸、功率、光效和散热设计等方面均表现出色。例如，2835灯珠的单颗功率可达0.5W，而3528仅为0.06W；2835灯珠的光效高达120LM/W，优于3528的80LM/W和5050的100LM/W。选型避坑指南 亮度虚标：使用照度计实测1米处光照强度，0.5W灯珠应≥500Lux。

灯珠是通过导线把热量传导到负极引脚上去，所以3528灯珠的散热方式也可称为“负极散热”；而2833014灯珠是通过通过在灯珠支架上打孔并装上导热片，把芯片的热量直接传导到铝基板上，为了与3528的散热方式区分开来，它的散热方式又称为“热电分离”，意思就是热量与电流不是通过同一根导线。

3535灯珠规格参数,3535led灯珠型号与功率有哪些?

〖One〗、LED灯珠型号与功率 平面灯珠 0.2瓦：适用于低功耗、低亮度的应用场景，如指示灯、装饰灯等。0.5瓦：适用于中等功耗、中等亮度的应用场景，如室内照明、汽车照明等。1瓦：适用于高功耗、高亮度的应用场景，如户外照明、舞台照明等。

〖Two〗、灯珠的规格参数主要包括适中的体积与多样化封装、功率范围广泛。3535led灯珠的型号与功率具体如下：体积与封装：适中体积：3535灯珠体积适中，可以轻松适应平面和陶瓷封装。多样化封装：封装至850nm和940nm红外灯时，提供30度、60度、90度和120度的多种角度选取。

〖Three〗、类型：SMD LED（表面贴装二极管）型号：YLL-3535RGBW功率：4W芯片品牌：晶元（Epistar）发光角度：120°发光颜色：RGBW（红光、绿光、蓝光、白光）主要特点 高亮度与长寿命 由于陶瓷材料具有良好的导热性，使得该灯珠能够承受更大的功率，从而发出更高的亮度。

led灯珠封装工艺

LED灯珠封装工艺是将LED（发光二极管）发光芯片进行封装的过程，这一工艺对于LED灯的性能和寿命至关重要。以下是LED灯珠封装工艺的详细解释：LED灯珠封装的基本特性 LED具有正向导通、反向截止的特性，这是LED灯珠封装的基础。在封装过程中，需要确保LED芯片的正负极正确连接，以保证其正常工作。

LED灯珠的封装工艺主要包括支架排封装、贴片封装和模组封装。支架排封装用于单个LED灯珠器件的生产，适合指示灯、城市亮化等应用。贴片封装体积小、薄，适用于手机键盘、电视机背光等。模组封装则在氧化铝或氮化铝基板上封装多个LED灯珠芯片，用于照明产品。模组封装由于封装密度高，散热成为首要问题。

封装形式：高功率晶片，如3535。电压与电流：电压一般还是3V-5V，额定电流在300毫安-1500毫安之间。集成封装性（COB）描述：这种封装形式将多个LED灯珠芯片封装在同一板材上，通过一定的串并数，以金线连接。设计：并行数通常为10串或12串，因为它们都设计在极低安全电压（SELV 42V）之下。

表面贴装封装（SMD）：这种封装方式利用表面贴装技术，将LED灯珠直接焊接至电路板。它的特点是体积小、重量轻，便于自动化生产，并且由于与电路板的紧密接触，散热性能较好。 插件封装：插件封装采用传统的插孔连接方式，通过引脚将LED灯珠插入电路板并焊接固定。

氮化铝陶瓷基板分类

氮化铝陶瓷覆铜基板：这种基板是在氮化铝陶瓷基板上进行电镀铜处理，根据电镀铜的覆盖情况，又可以分为双面覆铜和单面覆铜两种。双面覆铜基板在两面都进行了电镀铜处理，适用于需要双面导电的场合；而单面覆铜基板则只在一面进行电镀铜处理，适用于只需要单面导电的场合。

应用：随着经济和技术的发展，氮化铝基板的应用前景广阔。按制造工艺分类 HTCC（高温共烧陶瓷）特点：制造过程与LTCC相似，但陶瓷粉没有添加到玻璃材料中，必须在1300～1600℃的高温下干燥硬化。金属导体材料的选取受到限制。应用：适用于需要高温稳定性的场合。

材料组成与结构 氮化铝陶瓷基板：主要以氮化铝（AIN）为主晶相，硬度高，耐腐蚀，抗氧化。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元，形成共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成为AI 681%，N 319%，比重为261g/cm3，颜色为白色或灰白色，单晶无色透明。

氧化铝陶瓷基板：由于其相对较低的成本和良好的综合性能，氧化铝陶瓷基板被广泛应用于各种电子器件中，如集成电路封装、功率电子模块、传感器等。特别是在对成本有一定要求且散热需求不是特别高的应用中，氧化铝陶瓷基板成为首选。

根据制备原理与工艺，陶瓷基板可分为多种类型，如薄膜陶瓷基板（TFC）、厚膜印刷陶瓷基板（TPC）、直接键合铜陶瓷基板（DBC）、直接敷铝陶瓷基板（DBA）、直接电镀铜陶瓷基板（DPC）、活性金属焊接陶瓷基板（AMB）、直接溅射铜陶瓷基板（DSC）与激光活化金属陶瓷基板（LAM）。每种类型均有其独特优势与局限性。

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